Определение коэффициента облученности между поверхностью и элементарной площадкой графическим методом
Коэффициент облученности между элементарной площадкой и поверхностью может быть определен также методами начертательной геометрии. На рис. 3.24 показан общий случай. В соответствии с рисунком коэффициент облученности определяет поступающую на поверхность площадью А2 долю всего излучения, исходящего из элементарной площадки (]Л,или идущую от тела площадью А2 долю излучения, достигающего элементарной площадки АА. Как видно из рисунка, коэффициент облученности можно вычислить из соотношения:
Это одновременно пирамида с основанием a2b2c2d2, имеющая вершину АА, проникающая в полусферу с радиусом г, которую легко можно построить. Хотя выполнить такое построение довольно сложно, во многих случаях оно необходимо, поскольку это все же гораздо проще, чем выводить математическую зависимость.
Приведем общеизвестный пример построения. При построении пересечения плоскости и полусферы целесообразно подбирать размеры полусферы таким образом, чтобы в основной плоскости окружность состояла из ста единиц, тогда численная доля получаемой проекции может быть непосредственно использована в расчетах.
Пример графического построения приведен на рис. 3.25. Построение обычно можно производить на основании трех проекций. На рисунке хорошо показано определение отдельных характерных точек пересечения путем вращения. Поверхность пересечения плоскости и сферы — эллипс, а часть эллипса можно с необходимой точностью начертить по трем уже известным точкам. Полученные же площади поверхности можно определить с помощью планиметра.
На рис. 3.26 приведены коэффициенты облученности отдельных поверхностей ограждающих конструкций несколькими точками основной плоскости помещения размером aXbXh= 4X6X3. Здесь справедлива зависимость
